Longitudinally biased $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$ hot electron VCSEL design

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorTeke, Ali
dc.date.accessioned2025-07-03T21:15:03Z
dc.date.issued2001
dc.departmentBalıkesir Üniversitesi
dc.description.abstractBu çalışmada, aktif bölgesinde HELLISH-2 (Hot Electron Light Emission and Lasing In Semiconductor Heterostructure-Type 2) yapısını içeren yeni bir dikey-kavite yüzey yayınımlı lazer (VCSEL) tasarımı sunulmaktadır. Bu yapı aktif bölgenin (HELLISH-2) altına ve üstüne Dağıtılmış Bragg yansıtıcıları (Distributed Bragg Reflectors, DBRs) eklemek suretiyle elde edilir. HELLISH-2 (VCSEL)'in çalışma prensibi DBR olmadan ki aygıtın çalışma prensibi ile aynı olacaktır. Boylamsal besleme için sadece iki yayılmış nokta kontağa ihtiyaç vardır. Bu yüzden, elektronlar DBR tabakalarını geçmek zorunda olmadan direkt olarak aktif bölgeye aktarılabilir. Sonuç olarak piyasada bulunan VCSEL'lerde aktif bölgeye odaklanmayan akım enjeksiyonundan kaynaklanan ısınma problemi ortadan kaldırılabilir. HELLISH-2 aygıtı VCSEL yapımı için optimize edilerek yansıtıcı profilleri elde edilmiştir.
dc.identifier.endpage404
dc.identifier.issn1300-2708
dc.identifier.issue1
dc.identifier.startpage397
dc.identifier.trdizinid32975
dc.identifier.urihttps://search.trdizin.gov.tr/tr/yayin/detay/32975
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12462/20808
dc.identifier.volume13
dc.indekslendigikaynakTR-Dizin
dc.institutionauthorTeke, Ali
dc.language.isotr
dc.relation.ispartofFırat Üniversitesi Fen ve Mühendislik Bilimleri Dergisi
dc.relation.publicationcategoryDiğer
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.snmzKA_TR_20250703
dc.subjectMühendislik
dc.subjectElektrik ve Elektronik
dc.subjectFizik
dc.subjectAtomik ve Moleküler Kimya
dc.subjectFizikokimya
dc.titleLongitudinally biased $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$ hot electron VCSEL design
dc.typeOther

Dosyalar

Koleksiyon

TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu