Longitudinally biased $GaAs/Al_xGa_{1-x}As$ hot electron VCSEL design
Tarih
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
Özet
Bu çalışmada, aktif bölgesinde HELLISH-2 (Hot Electron Light Emission and Lasing In Semiconductor Heterostructure-Type 2) yapısını içeren yeni bir dikey-kavite yüzey yayınımlı lazer (VCSEL) tasarımı sunulmaktadır. Bu yapı aktif bölgenin (HELLISH-2) altına ve üstüne Dağıtılmış Bragg yansıtıcıları (Distributed Bragg Reflectors, DBRs) eklemek suretiyle elde edilir. HELLISH-2 (VCSEL)'in çalışma prensibi DBR olmadan ki aygıtın çalışma prensibi ile aynı olacaktır. Boylamsal besleme için sadece iki yayılmış nokta kontağa ihtiyaç vardır. Bu yüzden, elektronlar DBR tabakalarını geçmek zorunda olmadan direkt olarak aktif bölgeye aktarılabilir. Sonuç olarak piyasada bulunan VCSEL'lerde aktif bölgeye odaklanmayan akım enjeksiyonundan kaynaklanan ısınma problemi ortadan kaldırılabilir. HELLISH-2 aygıtı VCSEL yapımı için optimize edilerek yansıtıcı profilleri elde edilmiştir.
