1,3-bis-(P-iminobenzoik asit) indan langmuır-blodgett (LB) filmlerin elektriksel özellikleri

Abstract

1,3-bis-(p-iminobenzoik asit) indan olarak bilinen organik molekül, katı yüzey üzerinde Langmuir-Blodgett (LB) film tekniği ile ilk kez büyütüldü. Filmlerin katı yüzey üzerine transferlerinin gerçekleştiğini doğrulamak için büyütme sırasında kuartz kristal mikrobalans yöntemi, büyütme sonrasında da UV-görünür soğurma spektrumlarından yararlanıldı. Filmlerin elektriksel özellikleri, metal/LB-film/metal şeklinde üretilen yapılarda oda sıcaklığındaki I-V ölçülerek incelendi. I-V eğrilerinin Schottky mekanizmasına uyduğu kabul edilerek LB film/metal engel yüksekliği 1,0 eV olarak hesaplandı.Organic material 1,3-bis-(p-iminobenzoi acid) indane was grown on glass substrates by Langmuir-Blodgett film (LB) technique for the first time. Quality of the transferred LB films was verified by measuring quartz crystal microbalance and UV-visible absorption spectra. Electrical properties of the different layered films were investigated by measuring room temperature I-V curves. By analyzing I-V curves and assuming Schottky conduction mechanism the barrier height was found to be as 1.0 eV.