AlGa(In)N/AlN/GaN heteroeklem yapıların enerji bant profillerinin ve taşıyıcı yoğunluklarının Nextnano3 simülasyon programı kullanarak incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, GaN tabanlı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların cihaz performanslarını geliştirmek için Nextnano3 simülasyon programı kullanılarak büyütme parametrelerinin optimizasyonu araştırılmıştır. Kutuplanmanın indüklediği taşıyıcıları içeren kendi içinde tutarlı 1-band, 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemlerinin çözümleri, AlGa(In)N/AlN/GaN tekli kuantum kuyulu yapılar için yapıldı. AlN ara tabaka ve AlGa(In)N bariyer kalınlıklarının ve bariyerdeki Al ve In mol kesirlerinin iletkenlik bant yapıları, taşıyıcı yoğunlukları ve elektronların olasılık dalga fonksiyonları üzerine etkileri araştırılmıştır.

In this study, to improve the device performance of GaN-based high electron mobility transistor structures, the optimization of growth parameters is investigted by using Nextnano3 simulation program. For the AlGa(In)N/AlN/GaN single quantum wells the self-consistent 1-band, 1-dimension Schrödinger-Poisson equations including polarization induced carriers have been solved and simulated. The effects of Al interlayer and AlGa(In)N barrier layer thicknesses and Al and In mole fractions in barrier layer on conduction band structures, carrier densities, two dimensional electron gas wave functions have also been examined.