Nextnano³ simülasyon programı ilke (In)N kanallı iki boyutlu yapıların büyütme parametrelerinin belirlenmesi

Abstract

Bu çalışmada InN kanallı yüksek elektron mobiliteli transistör yapıların Nextnano³ simülasyon programı kullanılarak iki boyutlu elektron yoğunluğunu artırmaya yönelik optimum büyütme parametrelerinin belirlenmesi araştırılmıştır. 1-boyutlu Schrödinger-Poisson denklemleri, In1-xAlxN/InN/In1-yAlyN ve In1- xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN tekli kuantum kuyulu yapılar için çözüldü. Bu yapılarda, InN kuyu ve GaN ara tabaka kalınlıklarının, bariyer tabakadaki Al mol yüzdesinin ve InAlN bariyer katkılanmasının, iletim enerji bant yapılarına, olasılık ve elektron yoğunluklarına etkisi araştırılmıştır.

In this study, to improve the device performance of InN-based high electron mobility transistor structures, the optimization of growth parameters is investigated by using Nextnano³ simulation program. For the In1-xAlxN/InN/In1- yAlyN and In1-xAlxN/GaN/InN/In1-yAlyN single quantum wells, the self-consistent 1-band, 1-dimension Schrödinger-Poisson equations including polarization induced carriers have been solved and simulated. The effects of GaN interlayer and InN quantum well layer thicknesses and Al mole fraction in barrier layer and doping of InAlN barrier layer on conduction band structures, carrier densities, two dimensional electron gas wave functions have also been examined.