Düşük boyutlu sistemlerin benzetişimleri, yapısal ve elektronik özellikleri

Abstract

Oldukça gelişmiş bulunan silisyum teknolojisinin doyuma ulaşması bir yana, daha büyük bir ivme ile gelişmekte olduğu bir gerçektir. Bu bağlamda silisyumun germanyum ile alaşımlanması, çeşitli alkali metal atomları veya katmanları ile silisyum yüzeylerinin pasifîze edilmesi, teleryum ve selenyum aracılığı ile silisyum yüzeyi üzerine germanyumun katmanlar halinde, veya isteğe bağlı olarak ada-tipi büyütme ile kuantum-nokta ve öbeklerin oluşturulması, yüksek-indisli yüzeylere yine alkali metal atomlarının tutunması ile kuantum telleri oluşturulması araştırılan güncel konular arasındadır. Çok sayıda atomdan oluşan birim hücrelerle tanımlanabilen bu tür sistemlerin büyütülmesinin benzetişimi ve elde edilmiş sistemlerin yapısal ve elektronik özelliklerinin araştırılması öngörülmüştür. Hesaplamalar ilk-prensip yoğunluk-fonksiyoneli psüdo-potansiyel yöntemler olup sonuçlar literatürdeki diğer hesaplarla ve deneysel verilerle karşılaştırılmıştır.